2024年1月31日，廣東省發展和改革委員會、廣東省科學技術廳、廣東省工業和信息化廳印發《廣東省培育半導體及集成電路戰略性新興產業集群行動計劃（2023-2025年）》的通知。

 

　　一、總體情況

 

　　（一）發展現狀。半導體及集成電路產業主要包括半導體器件的設計、制造、封裝測試，以及相關原材料、輔助材料、裝備等。廣東是我國信息產業第一大省，在消費電子、通信、人工智能、汽車電子等領域擁有國內最大的半導體及集成電路應用市場，集成電路進口金額占全國的40%左右。2019年集成電路產業主營業務收入1200億元，2022年達到2200億元，其中集成電路設計業營業收入超過1000億元。擁有廣州和深圳兩個國家級集成電路設計產業化基地，基本形成以廣州、深圳、珠海為核心，帶動佛山、東莞、中山、惠州、肇慶等地協同發展的產業格局。

 

　　（二）問題與挑戰。存在問題：一是創新能力不強，創新要素投入不足，關鍵核心技術研發能力薄弱。二是設計企業普遍規模偏小，高水平設計能力不足。三是制造環節短板明顯，實現規模化量產的12英寸晶圓線僅3條。四是高校人才培養嚴重短缺，集成電路專業在校生不足5000人，人才引進難度越來越大，人才供求矛盾突出。五是對外依存度高，產業鏈供應鏈安全可控性亟待提升。在當前國際技術封鎖及國內區域競爭加劇的背景下，迫切需要加快補齊產業鏈短板，提升產業鏈供應鏈穩定性安全性，為推動制造業高質量發展提供有力支撐。

 

　　（三）優勢和機遇。廣東設計業營業收入全國第一，終端應用市場龐大，市場機制比較成熟。目前，國家持續加大對集成電路產業的支持力度，產業發展環境不斷完善，5G、人工智能、智能網聯汽車、工業互聯網、超高清視頻等產業對半導體及集成電路的需求快速增長，這些都為廣東發展半導體及集成電路產業提供了良好的發展機遇。

 

　　二、工作目標

 

　　（一）規模快速增長。到2025年，年主營業務收入突破4000億元，年均增長超過22%。其中，集成電路設計業超2000億元，形成3家以上銷售收入超100億元和一批銷售收入超10億元的設計企業；集成電路制造業超1000億元，建成較大規模特色工藝制程生產線。先進封測比例顯著提升，部分化合物半導體材料、器件生產能力國內領先，特種裝備及零部件發展初具規模。

 

　　（二）創新能力明顯提升。到2025年，設計行業骨干企業研發投入強度超過20%，全行業研發投入強度超過5%，發明專利密集度和質量位居全國前列。EDA（電子設計自動化）軟件具備國產替代能力，集成電路設計水平進入國際先進行列。形成較為完善的人才引進和培養體系，微電子等相關專業招生規模爭取年均增長20%以上。新組建15個以上半導體及集成電路領域的省級重點實驗室、工程實驗室等，建成5個以上公共技術服務平臺。

 

　　（三）布局更加完善。到2025年，一批龍頭企業國際話語權顯著提升，集聚一批創新能力強的“獨角獸”企業、細分領域“單項冠軍”和“專精特新”企業，產業鏈供應鏈國產化水平進一步提升。廣州、深圳市依托現有集成電路制造主體，聚焦硅基特色工藝制程和化合物半導體，同時開展先進工藝研究，打造綜合性集成電路集聚區；珠海市大力推動集成電路設計業做大做強，積極推進制造項目落地；佛山市全力打造泛半導體設備及零部件研發和制造基地；東莞市加快化合物半導體產業提檔升級，建設化合物半導體集聚區；中山市大力發展封裝測試和半導體基礎材料。盡快形成穗莞深惠和廣佛中珠兩大發展帶，使珠三角地區建設成為具有國際影響力的半導體及集成電路產業集聚區。

 

　　三、重點任務

 

　　（一）推動產業集聚發展。以廣州、深圳、珠海為核心區域，積極推進特色制程和先進制程集成電路制造，加快培育化合物半導體，在晶圓制造工藝、FPGA、DSP、數模混合芯片、模擬信號鏈芯片、射頻前端、EDA工具、關鍵IP核等領域實現突破，打造涵蓋設計、制造、封測等環節的全產業鏈。以深圳、汕頭、梅州、肇慶、潮州為依托建設新型電子元器件產業集聚區，廣深珠莞等多地聯動發展化合物半導體產業。佛山、惠州、東莞、中山、江門、汕尾等城市依據各自產業基礎，在封裝測試、半導體材料、特種裝備及零部件、電子化學品等領域，積極培育發展產業龍頭企業，推動建設半導體及集成電路產業園區，形成與廣深珠聯動發展格局。

 

　　（二）突破產業關鍵核心技術。持續推進重點領域研發計劃，圍繞芯片設計與架構、特色工藝制程、先進封裝測試工藝、化合物半導體、EDA工具、特種裝備及零部件等領域開展關鍵核心技術攻關。密切跟進碳基芯片技術發展。支持提前部署相關前沿技術、顛覆性技術。對于風險較高、不確定因素較多的關鍵領域科技攻關，適當支持探索多種技術路線，加強技術儲備。加強用于數據中心和服務器的高性能CPU、GPU、FPGA等高端通用芯片技術研發，加大5G基帶芯片、光通信芯片、射頻芯片、AI芯片、智能終端芯片、MEMS傳感器芯片、物聯網芯片、車規級SoC汽車電子芯片、超高清視頻芯片等專用芯片的關鍵技術研發和制造，提升核心芯片自主化水平。全面落實國家研發費用稅前加計扣除政策，對研發費用占銷售收入不低于5%的企業，鼓勵各市對其增按不超過25%研發費用稅前加計扣除標準給予獎補，省可根據各市財力狀況在此基礎上按1:1給予事后再獎勵。

 

　　（三）打造公共服務平臺。加快發展半導體及集成電路公共服務平臺，為中小微企業提供EDA工具、芯片架構、SoC（系統級芯片）設計、MPW（多項目晶圓加工）、快速封測、部件及終端產品模擬、測試驗證等服務。支持高校、科研機構、檢測驗證機構以及有研發能力的大型企業建設產品質量測評、環境適應性評價、安全可靠性認證等方面的公共服務平臺。推動混合集成、異構集成技術研發與產業化，支持建設混合集成芯片創新平臺（先導線和中試線）。在化合物半導體等領域布局國家級創新平臺。省區域協調發展戰略專項資金對符合條件的國家級、省級公共服務平臺和創新平臺建設給予支持，經評審確定的項目，在《廣東省加快半導體及集成電路產業發展的若干意見》（粵府辦〔2020〕2號）基礎上進一步加大支持力度，對平臺單個項目的補助額度可超過2000萬元、但不超過其固定資產投資的30%。

 

　　（四）保障產業鏈供應鏈安全穩定。支持產業鏈各環節企業構建戰略合作伙伴關系，推動產業集群虛擬垂直整合發展。支持終端應用龍頭企業通過數據共享、人才引進和培養、核心技術攻關、產品優先應用等合作方式培育國內高水平供應鏈，帶動芯片設計、原材料、核心電子元器件、設備、關鍵軟件等上下游配套企業協同發展。建立“一對一”服務保障機制，支持龍頭企業上下游保供穩鏈。支持中國（廣東）知識產權保護中心拓展和優化專利預審服務，加大快速協同保護力度和廣度，縮短專利授權周期。培育高價值專利，建立產業細分領域專利數據庫，完善專利預警機制。探索在重點國家和地區建設廣東省半導體及集成電路產業知識產權海外維權援助中心或援助服務點。定期運用數據模型，做好集成電路產業進出口情況監測預警分析。

 

　　（五）構建高水平產業創新體系。依托產業鏈部署創新鏈，聯合攻關產業關鍵共性技術，推進成果轉化，形成深度融合產學研體系。改革省科技創新戰略專項資金項目立項和組織實施方式，試行“廣東發布、全國揭榜”的“揭榜掛帥”模式。鼓勵相關新型研發機構創新人員聘用和團隊組織機制。強化成果導向，建立技術經紀人（經理人）培育和評價機制。探索創新鏈、產業鏈與資金鏈的深度融合機制，通過技術入股、市場化運作等方式推動科研成果快速轉化，形成創新利益共同體，激發科研單位和科研人員創新潛力。

 

　　四、重點工程

 

　　（一）底層工具軟件培育工程。重點圍繞邏輯綜合、布圖布線、仿真驗證等方向，加強數字電路EDA工具軟件核心技術攻關。推動模擬或數模混合電路EDA工具軟件實現設計全覆蓋，打造具有自主知識產權的工具軟件。支持開展EDA云上架構和應用AI技術研發。支持TCAD（技術電腦輔助設計軟件）、封裝EDA工具研發。推動集成電路企業在新產品開發中，應用國家“核高基”（核心電子器件、高端通用芯片及基礎軟件產品）等專項形成的EDA工具、自主IP等成果。省科技創新戰略專項資金持續支持底層算法與架構技術的研發。

 

　　（二）芯片設計領航工程。重點突破邊緣計算芯片、儲存芯片、處理器等高端通用芯片的設計，大力支持射頻、傳感器、基帶、交換、光通信、顯示驅動、RISC-V（基于精簡指令集原則的開源指令集架構）、物聯網智能硬件、車規級AI、FBAR濾波器等專用芯片的開發設計。大力推動化合物半導體、毫米波、太赫茲等專用芯片設計前沿技術研究。聚焦終端應用需求，建設涵蓋芯片設計全流程的公共技術服務平臺，強化芯片設計驗證過程中急需的MPW、快速封裝和測試評價服務。省促進經濟高質量發展專項資金對28nm及以下制程、車規級及其他具備較大競爭優勢的芯片產品量產前首輪流片費用按不超過30%給予獎補，鼓勵各地市出臺政策放寬獎補條件、擴大惠及面。大力支持高校、研究機構及企業以創新平臺和公共服務平臺為載體，聯合開展新型芯片的MPW項目。

 

　　（三）制造能力提升工程。大力支持技術先進的IDM（設計、制造及封測一體化）企業和晶圓代工企業布局研發、生產和運營中心，重點推動12英寸晶圓線項目建設。鼓勵探索CIDM（企業共同體IDM）模式。優先發展特色工藝制程芯片制造，重點推進模擬及數模混合芯片生產制造，支持先進制程芯片制造，縮小與國際先進水平的差距。支持廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院建設，加快FDSOI（全耗盡型絕緣層上硅）核心技術攻關。推動建設MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（大功率絕緣柵雙極型晶體管）、高端傳感器、MEMS（微機電系統）、半導體激光器、光電器件等產線。

 

　　（四）高端封裝測試趕超工程。大力引進先進封裝測試生產線和技術研發中心，支持現有封測企業開展兼并重組，緊貼市場需求加快封裝測試工藝技術升級和產能提升。加快IGBT模塊等功率器件封裝技術的研發和產業化，重點突破新一代通信與網絡超高速光通信核心器件與模塊等封測核心技術及裝備。大力發展晶圓級、系統級、凸塊、倒裝、硅通孔、面板級扇出型、三維、真空等先進封裝技術，以及脈沖序列測試、MEMS探針、IC集成探針卡等先進晶圓級測試技術。

 

　　（五）化合物半導體搶占工程。大力發展氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、氧化鎵、氮化鋁、金剛石等半導體材料制造，支持氮化鎵、碳化硅、砷化鎵、磷化銦等化合物半導體器件和模塊的研發制造。大力培育引進技術領先的化合物半導體IDM企業，支持建設射頻、傳感器、電力電子等器件生產線，形成配套材料和封裝能力。引導通信設備、新能源汽車、電源系統等領域企業推廣試用化合物半導體產品，提升系統和整機產品性能。

 

　　（六）材料及關鍵電子元器件補鏈工程。大力發展電子級多晶硅及硅片制造，加快氟聚酰亞胺、光刻膠、高純度化學試劑、電子氣體、碳基、高密度封裝基板等材料研發生產。大力支持納米級陶瓷粉體、微波陶瓷粉體、功能性金屬粉體、賤金屬漿料等元器件關鍵材料和功能性基質材料的研發及產業化。推動電子元器件企業與整機廠聯合開展核心技術攻關，支持建設高端片式電容器、電感器、電阻器等元器件以及高端印制電路板生產線，提升國產化水平。

 

　　（七）特種裝備及零部件配套工程。重點圍繞光學和電子束光刻機關鍵部件和系統集成開展持續研發和技術攻關。積極推進缺陷檢測設備、激光加工設備、半導體芯片巨量組裝設備等整機設備生產，支持高精密陶瓷零部件、射頻電源、高速高清投影鏡頭、儀器儀表等設備關鍵零部件研發。對產業鏈企業應用國產裝備給予首臺（套）裝機補貼，大力引進國內外沉積設備、刻蝕設備、等離子清洗機、薄膜制備設備等領域的龍頭企業。

 

　　（八）人才集聚工程。組織開展集成電路產業人才開發路線圖研究，省相關高層次人才引進計劃將集成電路產業列入重點支持方向，加快從全球靶向引進高端領軍人才、創新團隊和管理團隊。引導高校圍繞產業需求調整學科專業設置，推動有條件的高校建設國家示范性微電子學院。擴大微電子專業師資規模及招生規模，省屬高校可自行確定微電子專業招生計劃。推動國產軟件設備進校園。開展集成電路產教融合試點，鼓勵企業聯合職業院校及高校培養技術能手。省基礎與應用基礎研究基金安排一定比例的資金專項資助未獲得省部級以上科研項目資助的博士和博士后。兼顧高端領軍人才、中堅骨干力量、技術能手等多層次人才需求，適當放寬人才認定標準。鼓勵各市在戶籍、獎補、住房保障、醫療保障、子女就學、創新創業等方面對集成電路人才給予優先支持。

 

　　五、保障措施

 

　　（一）加強組織領導。廣東省半導體及集成電路產業發展領導小組統籌推進全省半導體及集成電路產業發展，整合各方資源，協調解決重大問題。各有關地市及省相關部門，明確工作職責，加大政策支持力度，形成省市聯動工作合力。成立廣東省半導體及集成電路產業發展專家咨詢委員會，對產業發展的重大問題和政策措施開展調查研究，進行論證評估，提供咨詢建議。

 

　　（二）加大財政金融支持力度。省產業發展基金、創新創業基金以及相關專項資金要加大對半導體及集成電路產業的支持力度、形成合力。省科技創新戰略專項資金每年投入不低于10億元用于支持集成電路領域技術創新。對于半導體及集成電路領域的基礎研究和應用基礎研究、突破關鍵核心技術或解決“卡脖子”問題的重大研發項目，省級財政給予持續支持。省半導體及集成電路產業投資基金重點投向具有重要帶動作用的設計、制造、封測等項目。積極爭取國家集成電路產業投資基金、政策性銀行支持半導體及集成電路重大項目。鼓勵各類創業投資和股權投資基金投資半導體及集成電路產業。優先支持金融機構推出符合集成電路設計等輕資產企業融資需求的信貸創新產品。

 

　　（三）支持重大項目建設。半導體及集成電路產業的重大項目優先列入省重點建設項目計劃，對符合條件的晶圓制造項目需要新增建設用地的由省統籌安排用地指標。積極吸引國內外半導體及集成電路龍頭企業在廣東設立總部、投資建設重大項目，建立重大項目投資決策和快速落地聯動響應機制。對投資額較大的制造、設計、EDA軟件、封測、裝備及零部件等領域項目，以及產業帶動作用明顯的國家級公共服務平臺、創新平臺，可按照“一事一議”的方式予以支持。